《一种LaMnO_3调控Bi_4Ti_3O_(12)带隙的过渡金属氧化物铁电薄膜及其制备方法》

技术简介：

本发明属于铁电薄膜技术领域,具体涉及一种LaMnO_3调控Bi_4Ti_3O_(12)带隙的过渡金属氧化物铁电薄膜及其制备方法,以LaMnO_3插入Bi_4Ti_3O_(12)的过渡金属氧化物铁电陶磁为靶材,以(001)面SrTiO_3为衬底,通过脉冲激光分子束外延技术沉积Bi_4Ti_3O_(12)-LaMnO_3薄膜。本发明制备LaMnO_3插入Bi_4Ti_3O_(12)过渡金属氧化物基多铁薄膜的方法,整个过程都在同一腔体内进行从而保证了样品的纯度,采用常规设备,非常利于推广。制得的复合材料薄膜表现为强铁电性,在深紫外区具有较高的透射率,可以透过较高能量的光子,为过渡金属氧化物基多铁新型器件提供理论与技术基础,具有广阔的应用前景。

研发人员：曹先胜;吉高峰