《一种适用于多晶硅垂直生长机构的温度梯度产生装置及使用方法》

技术简介：

本发明提供一种适用于多晶硅垂直生长机构的温度梯度产生装置,包括：石墨外壳,在石墨外壳内,容纳有风屏腔体、石墨导气装置、石墨加热器和坩埚,坩埚的上方分为成型区和溶料区,石墨加热器围绕所述成型区和溶料区,成型区和溶料区相通,成型区的上方设有风屏腔体,石墨导气装置设置在风屏腔体的侧壁的外侧,石墨导气装置与风屏腔体通过陶瓷射流口连通。本发明还提供上述装置的使用方法,本发明所述的适用于多晶硅垂直生长机构的温度梯度产生装置及使用方法,利用两侧及中心部位的射流,实现构造稳定的、可控的、均匀的冷却气屏,从而令生长的硅片厚度均匀、生长过程更加稳定。

研发人员：丁建宁;徐嘉玮;袁宁一