多层导电结构缺陷位置和尺寸的无损估计方法研究
发布时间: 2022-07-09 访问次数: 24
《多层导电结构缺陷位置和尺寸的无损估计方法研究》
技术简介:
针对多层导电结构缺陷位置和尺寸的识别问题,基于脉冲涡流检测数据,提出一种多层导电结构缺陷位置和尺寸的无损估计方法(NEM)。NEM采用傅里叶变换和希尔伯特黄变换等方法,提取时域和频域上共47维特征。提出基于AIC+Fisher的特征降维方法,选择最优的特征降维维度,减少特征冗余且降维后的特征能更好表征缺陷类型,提高分类器的识别效率。最后利用支持向量机(SVM)构造分类器,采用粒子群算法对分类器模型参数进行寻优,从而实现多层导电结构缺陷位置和尺寸的识别。实验结果表明:NEM能够适用于多层导电结构的缺陷位置识别和缺陷尺寸识别,提高了识别的查全率和查准率,降低了缺陷尺寸识别的平均误差值,优于SVM47、AF_F、Fisher47和AF_R等方法。
研发人员:周莹;金合丽;陈友荣;刘半藤;任条娟;