忆阻电路建模理论与应用

   发布时间: 2022-06-06    访问次数: 118

忆阻电路建模理论与应用


奖项类别:江苏省高校科学研究成果奖三等奖


技术简介:

本项目在国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年基金项目、江苏省自然科学基金青年基金/面上项目的资助下,在忆阻电路的伏安/韦库建模理论、动力学分岔机理、忆阻电磁感应效应等方面开展了大量的研究工作。成果文献得到了国内外同行学者的广泛引用及正面评价,对于推动忆阻电路在信息科学与计算神经科学等各个领域的应用具有重要意义。

主要科学发现及创新成果如下:

(1)提出了一类忆阻模拟器,构建了若干基于忆阻的非线性系统与神经元网络,揭示了忆阻电路的超级多稳定性、初值位移调控、放电模态转迁等复杂非线性现象,并基于模拟与数字电路进行了硬件电路实现与实验验证。

(2)针对伏安模型理论分析瓶颈,提出了忆阻电路的增量韦库建模理论,实现了多稳定性的降维重构、机理演绎和硬件控制;进而提出了增量积分建模理论,解析了基于忆阻的非线性系统与神经元网络的多稳定性形成机理。

(3)揭示了忆阻神经元网络的共存放电模态和尖峰/簇放电模态转迁等动力学行为,解析了随参数扰动与初值演化时放电活动的分岔机理,并研究了忆阻电磁感应对神经元网络放电活动的动力学效应及其诱发机制。


研发人员:包伯成